مسیر سودآوری برای بخش فاندریِ سامسونگ به این معناست که این شرکت باید تعداد زیادی مشتری برای فرایند ۲ نانومتری GAA خود جذب کند. تا اینجا، گفته شده که Exynos 2600 نخستین تراشهای خواهد بود که بهصورت انبوه با این لیتوگرافی تولید میشود و تسلا نیز یک قرارداد چندمیلیارددلاری با این غول کرهای منعقد کرده است. اکنون، گزارش جدید نشان میدهد که دو شرکت چینی نیز برای سفارش تراشههای ۲ نانومتری GAA جهت محصولات آیندهی استخراج ارزهای دیجیتال صف کشیدهاند؛ نشانهای که بیان میکند سامسونگ بهآرامی در مسیر درست پیش میرود، هرچند هنوز فاصلهی زیادی تا رقابت واقعی با TSMC دارد.
بیتمین (Bitmain)، بزرگترین تولیدکننده تجهیزات استخراج رمزارز در چین، هنوز به استفاده از تراشههای ۲ نانومتری GAA سامسونگ متقاعد نشده و همچنان به همکاری با TSMC ادامه میدهد.
طبق گزارش رسانه کرهای Hankyung، دو مشتری چینی MicroBT و Canaan هستند. هر دو شرکت قصد دارند از تراشههای ۲ نانومتری سامسونگ بهعنوان «مغز» سختافزارهای استخراج رمزارز نسل جدید خود استفاده کنند. MicroBT و Canaan بهترتیب دومین و سومین تولیدکنندگان بزرگ جهان در این حوزه هستند، درحالیکه Bitmain همچنان رتبه اول را در اختیار دارد. با این حال، Bitmain هنوز هیچ سفارشی به سامسونگ نداده است؛ زیرا احتمالاً از نظر دریافت بهموقع سفارشها، دسترسی به فناوری پیشرفتهتر و توانایی مدیریت بازدهی پایین، به TSMC اعتماد بیشتری دارد؛ مسائلی که سامسونگ هنوز نتوانسته در فرآیند ۲ نانومتری خود ثابت کند.
سامسونگ تولید سفارشهای MicroBT را آغاز کرده و Canaan نیز قصد دارد نخستین سیلیکونهای خود را اوایل سال ۲۰۲۶ وارد فاز تولید کند. انتظار میرود تحویل این تراشهها در نیمه دوم سال آینده انجام شود. هر دو سفارش قرار است در خط S3 سامسونگ در هواسونگ، استان گیونگی تولید شوند.
این سفارشها حدود ۱۰ درصد از ظرفیت تولید ۲ نانومتری سامسونگ را تشکیل میدهند و ماهانه تقریباً ۲۰۰۰ ویفر ۱۲ اینچی (۳۰۰ میلیمتری) تولید خواهند شد. هرچند این حجم بسیار زیاد نیست، اما نشان میدهد که سامسونگ تلاش میکند از نظر جذب مشتری در لبهفناوری، با TSMC همسطح شود.
پیشتر گزارش شده بود که نمونههای آزمایشی Snapdragon 8 Elite Gen 5 ساختهشده با فرایند ۲ نانومتری برای بررسی در اختیار کوالکام قرار گرفتهاند، اما استفاده همزمان از سامسونگ و TSMC در تولید احتمالاً از Snapdragon 8 Elite Gen 6 در اواخر ۲۰۲۶ شروع خواهد شد. برای همگام ماندن با TSMC، گفته شده سامسونگ طراحی پایهی نسل دوم فرایند ۲ نانومتری GAA را به پایان رسانده و در حال توسعه نسخه سوم با نام SF2P+ نیز هست.
فناوری ۲ نانومتری GAA قرار است در کارخانه تیلور سامسونگ در تگزاس نیز به مرحله تولید برسد. بهتازگی اعلام شده که شرکت ASML یک تیم برای تحویل و نصب تجهیزات لازم جهت آغاز تولید نسل جدید ویفرها تشکیل داده است. با تکمیل این مرحله، این تأسیسات میتوانند تا سال ۲۰۲۷ بیش از ۱۵ هزار ویفر در ماه تولید کنند.
